IXYS 公司最近发布了一系列新品——55V至100V TrenchMV场效应管，采用自有知识产权的晶胞设计，显著降低正向导通电阻，提升产品的效率。此产系列产品的推出，延续了IXYS公司的高效率，低电压的功率转换市场的领先地位。

　　在基本的沟槽式晶胞设计上的改进，为TrenchMV系列场效应管持续带来许多技术优势。优化的晶胞密度，结构和面积带来此前几代Trench产品更优的性能。更低的导通电阻（Rdson）和门极电荷，增加的结实度和更快的开关速度可以使“中等电压”等级的产品的效率做的更高。而IXYS正在开发电压更低的具有相同特性的Trench MOSFET.

　　 IXYS这系列产品能为工程师提高多种选择，电压等级包括：55V;75V;85V;100V,电流范围从44A到280A，同时有许多不同的封装方式可选:从TO-220,TO-247到一系列IXYS独创的绝缘封装(ISOPLUS) IXTC240N055T(55V;240A,Rdson＝0.004Ω)和IXTF200N10T(100V;200A; Rdson＝0.006Ω)是其中两款有很好绝缘散热效果的产品。

　　 Trench MOSFET可用在许多硬开关线路中，能满足汽车电子和工业电子的严酷要求，同时也适合用之耗电量巨大的消费类电子市场(如LCD/PDD电视电源，音频功率放大器等)。

　　常规应用包括DC-DC变换器，马达控制器和电源分配系统等（Active Oring）低的门电荷使他们尤其适合大功率应用，这是因为低的门电荷的MOSFET更易被驱动，从而使开关损耗降低，效率提高。这一特点也使他们能更易被关联使用，从而适合于更高的效率等级。